世界最大のファウンドリー（半導体受託製造）企業である台湾TSMCは、今年第4四半期に最先端の2ナノ（㎚・10億分の1m）プロセス製品を量産していると明らかにした。
31日、聯合報など台湾メディアによれば、TSMCは前日、公式ウェブサイトを通じて、南部のカオシオン・ナンジー科学団地の22ファブ（半導体生産工場）で2ナノ（N2）製品を量産中だと公表した。
TSMCは、N2プロセスに第1世代ゲート・オール・アラウンド（GAA）技術を用い、性能と消費電力で画期的な進展を達成したと説明した。続けて、N2の性能向上に向け、半導体チップ上に電気的接続のための金属ワイヤーと絶縁層を形成するRDL（Redistribution Layer・再配線）と、超高性能金属絶縁体金属（SHPMIM）キャパシタなどを開発し、表面抵抗（Rs）とコンタクト抵抗（Rc）をそれぞれ50%低減したと付け加えた。
こうした技術革新を通じて、より安定的な電源供給、優れた演算能力、全体的なエネルギー効率の最適化を示していると強調した。
別の消息筋は、TSMCが南部の22ファブでのN2プロセス量産を公開したが、北部の新竹科学団地のバオシャン地域にある20ファブの第1工場で、22ファブより先に量産を開始したと述べた。
消息筋は、TSMCがおよそ5万個に達する22ファブと20ファブの月間生産能力を来年末までに10万個以上、2027年には20万個以上へ拡大する案を検討中だと伝えた。
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