サムスン電子が人工知能（AI）拡大に伴い膨らむメモリー半導体需要に対応するため、ピョンテク半導体工場の生産能力拡大を進めている。ピョンテク5ライン（P5）の工事再開を決めたのに続き、核心インフラの発注手続きに入っており、ピョンテク4ライン（P4）でも装置搬入時期を前倒しする動きが捉えられている。
29日、業界によるとサムスン電子はピョンテクP5でガス・化学物質供給設備の発注を競争入札方式で進めている。ガスと化学プロセス装置は生産ライン構築で最も重要な要素の一つである。通常、発注は躯体工事後に行うが、今回は量産時期を前倒しするため、躯体工事と設備発注およびセットアップ作業を同時進行する「ファストトラック」方式を導入する見通しだとされる。
とりわけP5はサムスン電子がピョンテク第2団地で推進する新規生産ラインで、最近、社内の意思決定機構で躯体工事の推進を決定し、2028年稼働を目標に据えた。ただしエレクトロニクス・IT業界が深刻なメモリー半導体不足に苦しんでおり、来年から供給不足が深まるとの見方が出る中、稼働時期を前倒しするとの観測もある。
入札にはグローバル産業ガス企業と韓国の設備企業が参加準備を進めていると伝えられる。入札参加が見込まれる事業者（リンデ・エアリキード・ハニャン機工（メルク）・ウォンイクホールディングス・HANYANG ENG・STIなど）まで具体的に取り沙汰されている。総投資規模は少なくとも数千億ウォンから兆ウォン単位までと推定される。
サムスン電子に詳しい関係者は「今回のP5投資は前例なく速いペースで進んでいる。ガス、化学設備などの『ユーティリティ』パートは躯体工事後に進むのが一般的だが、今回は並行投資が決まったようだ」と述べ、「それだけ市場状況に迅速に対処しなければならないという経営陣の判断が働いたものだ」と説明した。
サムスン電子が長期にわたり準備してきた10ナノ6世代（1c）DRAM生産の中核となるP4の拡張投資もスピード勝負の様相だ。最近ではP4の装置搬入と試験稼働の目標が当初計画より2〜3カ月ほど前倒しされたとされる。1c DRAMは来年のAIメモリー市場最大の激戦区である第6世代HBM（HBM4）に搭載される。
最先端プロセスへの投資も続いている。サムスン電子は先にHigh NA EUV（ハイNA EUV）装置を量産用として導入することを決め、次世代微細プロセスに迅速に対処している。EUV（極端紫外線）装置は搬入前に各種補助装置とプラットフォームの構築が不可欠だ。これは最近のサムスン電子による積極的な装置発注と深く関連しているというのが業界の見方だ。
主要装置サプライヤーもサムスン電子の投資ペースに歩調を合わせることに注力している。韓国の大手装置メーカー関係者は「予想よりサムスン電子の受注規模が大きく、納期を守るのがぎりぎりなほどスピードが速い」とし、「韓国装置メーカーの場合、詰まった日程でも全ての生産ラインを総動員して最大限スケジュールを合わせようという雰囲気だが、海外企業の一部は難色を示すほどだ」と説明した。