知能型電力・センシング技術企業のオンセミは、グローバルファウンドリーズと窒化ガリウム（GaN）電力製品・製造で協力する計画だと22日に明らかにした。eモード（ゲートに一定以上の電圧を加えるとオンになる半導体）200ミリシリコン基板GaNプロセス（200㎜ eMode GaN-on-silicon）を基盤に製品を開発する趣旨である。オンセミは今回の協力を基に、高性能GaNデバイスと統合パワーステージのロードマップを加速する計画だ。
ディネッシュ・ラマナサンオンセミ企業戦略部門上級副社長は「今回の協力はオンセミのシステム、製品の専門性とグローバルファウンドリーズの先端GaNプロセスを結合するものだ」と述べ、「高成長市場向けの新しい650V電力デバイスを提供する予定だ」と語った。
オンセミは、新たに開発するGaN製品がシリコンドライバー・コントローラーと結合し、AIデータセンター・電気自動車・航空宇宙などの分野で使用され得ると期待した。オンセミは2026年上半期から顧客へのサンプル供給を開始する計画だ。
マイク・ホーガングローバルファウンドリーズ最高事業責任者は「当社の200ミリGaN-on-Siプラットフォームとオンセミの深いシステム・製品の専門性を結合する」と述べ、「グローバルファウンドリーズはオンセミを中核パートナーとし、AI、電動化、持続可能なエネルギー分野の進化する需要に応えるGaN半導体を継続的に発展させていく」と語った。
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