サムスン電子の半導体事業を担うデバイスソリューション（DS）部門から、米国電気電子学会（IEEE）のフェロー（正会員の最高位）が誕生した。IEEEは世界最大規模の電気・電子・コンピューター・通信分野の学会である。
22日サムスン電子半導体ニュースルームによると、DS部門のDSRA（米州半導体研究所）システムLSI研究所長ソン・ギボン副社長と半導体研究所DラムTD（技術開発）チームのハン・ジヌ常務が2026年のIEEEフェローに選定された。
IEEEフェローは米国電気電子学会が会員に付与する最高等級である。電気・電子工学全般で10年以上の経験を積み、通信・半導体など多様な分野で卓越した研究・開発成果を通じて産業と社会の発展に寄与した人物を対象に、毎年IEEE理事会が厳正な基準に基づき選定する。
ソン副社長はグローバルビッグテック企業を経てサムスン電子米州半導体研究所に合流し、現在はシステムLSI米州研究所を統括している。これまで無線通信、信号処理、モデム・RFシステムのための人工知能（AI）技術などに関して多数の研究論文を発表し、80件を超える特許を保有している。
とりわけ業界初の第5世代移動通信（5G）モデムの開発、5Gミリ波（mmWave）送受信機技術の高度化、エクシノスモデム5400およびエクシノス2500に適用された非地上ネットワーク（NTN）技術に基づく衛星緊急サービスの実装など、次世代移動通信技術の商用化を主導した成果が認められ、フェローに選定された。
ハン常務はDS部門半導体研究所で次世代Dラムの研究組織を担当している。半導体の微細化の限界を克服するため「次世代3D Dラム」の研究を主導し、新たなメモリ構造の可能性を探ってきた。Dラムセルを平面ではなく垂直方向に積層してチップ面積当たりの記憶容量を拡張するこのアプローチは、次世代メモリ技術の中核として注目されている。
ハン常務は米航空宇宙局（NASA）を経てサムスン電子に合流した。現在200件以上の特許と160編以上のSCI級論文を発表し、メモリ、ロジック、センサーなど多様な分野で研究成果を積み上げてきた。