李在鎔（イ·ジェヨン）サムスン電子会長が半導体事業を担うデバイスソリューション（DS）部門の事業所を訪問した。
22日、財界によると、李会長はこの日午前、京畿道ギフンキャンパスに位置するDS部門の次世代研究開発（R&D）団地「NRD-K」を訪れた。併せて、▲メモリー ▲ファウンドリー ▲システム半導体など次世代製品・技術の競争力を確認した。15日に米国出張を終えて帰国してから約1週間ぶりの国内事業所訪問である。李会長は「大胆な革新と投資で本源的な技術競争力を回復しよう」と語った.
NRD-Kはサムスン電子が将来の半導体技術の先取りのために建設した最先端の複合R&D団地である。プロセス微細化に伴う技術的限界の克服と先端半導体設計技術の開発を進めている。
李会長はこの日午後にはファソンキャンパスを訪れ、デジタルツインやロボットなどを適用した製造自動化システムの構築状況とAI技術活用状況を点検した。李会長はファソンキャンパスで、全永鉉DS部門長、宋在赫DS部門最高技術責任者（CTO）など半導体事業の主要経営陣と、世界の先端半導体産業のトレンドと将来戦略を議論した。続いて、HBM・D1c・V10など最先端半導体製品の事業化に寄与した▲開発 ▲製造 ▲品質の社員らと懇談会を持ち、現場社員の意見に耳を傾けた。
業界では、李会長がDS事業所を訪問したのは、今年下半期から半導体事業の業績が大きく改善し、役職員の士気を鼓舞するためという見方が出ている。サムスン電子は、今年第3四半期から高帯域幅メモリー（HBM）の出荷量拡大と、世界的な人工知能（AI）インフラ投資の拡大により汎用DRAM価格が上昇し、高い営業利益を上げた。
証券街では、サムスン電子メモリー事業部の営業利益が上半期の約6兆3500億ウォンから下半期は23兆ウォン以上へ大幅に増加すると見込む。今年通年では30兆ウォンに迫る営業利益を記録する見通しだ。またサムスン電子は最近、エヌビディア側から第6世代高帯域幅メモリー「HBM4」に対して肯定的な評価を受けたとされる。HBM4は来年発売予定のエヌビディアの人工知能（AI）アクセラレーター「ベラルビン」に搭載される予定である。