ハンミ半導体が2025年第3四半期の高帯域幅メモリー（HBM）向けTCボンダー市場でシェア1位を記録したとの調査結果が出た。
22日、市場調査会社テックインサイツが最近発表した「2025年HBM用TCボンダー市場レポート」によると、ハンミ半導体は同分野で今年第3四半期の累計売上が2億4,770万ドル（約3,660億ウォン）に達し、シェア71.2%を占めたことが明らかになった。
TCボンダーはHBM製造工程でメモリチップを高温・高圧で精密に接合する中核装置である。ハンミ半導体は2017年に世界で初めて「TSVデュアルスタッキングTCボンダー」を発売し、HBM市場に参入した。NCF（Non-Conductive Film）タイプとMR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）タイプなど、すべてのHBM生産用TCボンダーの基盤技術を保有している。
ハンミ半導体はHBM装置に関連する特許を出願予定分を含めて計150件保有している。7月にはHBM4用装置「TCボンダー4」の量産体制も整えた。来年末には次世代HBM向け「ワイドTCボンダー」を発売する計画だ。会社側は「2002年から知的財産（IP）強化に注力した結果だ」とし、「今後、HBMパッケージの変化に応じた技術投資にも積極的に取り組む」と述べた。
同社は仁川広域市西区の朱安国家産業団地に総額1,000億ウォンを投じ、延べ面積4,415坪（約1万4,571㎡）、地上2階規模のハイブリッドボンダーファクトリーを建設中である。来年末の完工を目標としている。今回の投資により、ハンミ半導体は計2万7,083坪（約8万9,530㎡）規模の生産ラインを完備する。9月には「AI研究本部」を新設し、「TCボンダー装置」などに人工知能（AI）技術を融合して、工程最適化、予測分析、自動化を適用している。
テックインサイツは今回のレポートで「TCボンダーは2025年の短期的な正常化過程を経た後、2026年から再び本格的な反騰が見込まれる」とし、「2030年まで年平均成長率（CAGR）約13%の強い成長を示すだろう」と予測した。
テックインサイツは1989年設立のグローバルな半導体技術分析および市場調査会社で、カナダのオタワに本社を置く。半導体および電子製品の市場展望分析に加え、チップレベルの回路・工程技術構造の分析で卓越した能力が評価され、世界のハイテク企業や政府機関から高い信頼を得ている。