サムスン電子が2025年3分期の高帯域幅メモリー(HBM)市場で米マイクロンを抑え、3分期ぶりに2位を取り戻した。

19日に市場調査会社カウンターポイント・リサーチによると、3分期の売上高基準でサムスン電子のHBMシェアは22%で、57%を記録したSKハイニックスに次ぐ2位となった。マイクロンは21%でサムスン電子に続く3位だった。

京畿道水原市ヨントングのサムスン電子本社の様子。/News1

サムスン電子は前年4分期にシェア40%でSKハイニックス(51%)に次ぐ2位だった。しかし今年1、2分期のシェアはそれぞれ13%、15%にとどまり、同期間に18%、21%を記録したマイクロンに2位を明け渡した経緯がある。

だが3分期のシェアは前期比で7ポイント上昇した。これに対しマイクロンは21%で横ばいとなり、サムスン電子に追い抜かれた。SKハイニックスは依然として大きな差で1位を維持したが、前期(64%)比でシェアが7ポイント低下した。

カウンターポイント・リサーチは「上半期の中国向け輸出制限で苦戦したサムスン電子がHBM3E(第5世代)の好調な実績に支えられ、3分期の市場シェアが小幅に上昇した」と説明した。

3分期のDラム全体の市場シェアはSKハイニックス(34%)、サムスン電子(33%)、マイクロン(26%)の順だ。SKハイニックスが1位となった今年1分期以降、3分期連続で同じ順位が続いた。

カウンターポイント・リサーチは「Dラム市場全体の規模は出荷量の増加と価格上昇を追い風に前期比26%成長した」とし、「主要サプライヤーが汎用Dラムの生産量を減らしたことで供給不足の現象が生じた」と明らかにした。

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