人工知能(AI)需要の拡大でメモリー半導体製品の価格が急騰している。AIサーバーの中核部品である高帯域幅メモリー(HBM)が今年は韓国半導体企業の業績改善を牽引したが、来年はDDR5・LPDDR・GDDRなど汎用DRAMの収益性が浮上するとの見方が出ている。メモリー好況局面でサムスン電子とSKハイニックスの投資戦略が分かれるなか、SKハイニックスのHBM中心戦略が中長期の収益性の観点で最善の選択なのか試金石に乗った。

16日、市場調査会社ディラムエクスチェンジ(DRAMeXchange)によると、DDR5 16Gbの価格は足元で10ドル台半ばまで上昇し、サーバー向けDDR5モジュール価格も連れ高となった。業界では汎用DRAMのギガバイト(GB)当たり価格が12〜13ドル水準まで上がり、HBM4の推定単価(GB当たり15ドル前後)との差が大きく縮小したとの評価が出ている。

ソウル江南区のCOEXで開かれた第27回半導体大展(SEDEX 2025)でSKハイニックスのHBM4実機が公開されている。/News1

収益性の面でも汎用DRAMの存在感が高まっている。グローバル投資銀行UBSは最近のリポートで、HBMの高い製造原価を勘案すると2025〜2026年には汎用DRAMの売上総利益率がHBMを一時的に上回り得ると展望した。HBM増設に生産能力が集中し、従来型DRAMの供給が不足、これによりDDR系の価格交渉力が強まっているとの分析である。

国内証券各社も同様の見方を示している。キム・ドンウォンKB証券リサーチセンター長は「汎用DRAM価格の上昇で来年はDDR5のマージンがHBM3E(第5世代HBM)を追い抜き、収益性が逆転する可能性が大きい」と述べ、「サーバー需要が堅調な一方でスマートフォン、ノートパソコン、自動車などに入る汎用メモリーの品薄が深まり、来年の半導体企業の業績は汎用DRAMが左右する」と語った。一部の汎用DRAM製品の営業利益率が70%前後まで上がり得るとの分析も示した。

このような収益構造の変化は業績予測にも反映されている。KB証券は2026年のサムスン電子の営業利益を約82兆ウォン、SKハイニックスは74兆ウォン水準と提示した。キウム証券など一部の証券会社は上限ベースでサムスン電子の営業利益を100兆ウォン前後、SKハイニックスを90兆ウォン水準まで取り沙汰している。証券街では汎用DRAMの売上比率が相対的に高いサムスン電子は、価格上昇局面で業績レバレッジ効果をより大きく享受できるとの分析が出ている。

両社の戦略の違いは鮮明だ。SKハイニックスは新規生産能力投資の中心をHBMに置く戦略を維持している。海外報道と業界資料によると、SKハイニックス内部では汎用DRAMの供給不足局面が2028年まで続く可能性が検討されたと伝わるが、会社は今後導入するLow-NA EUV(極端紫外線)装置をHBMおよび高級パッケージング工程に優先配分する方針を固めた。AIメモリー分野での技術リーダーシップと戦略顧客のロックイン効果を重視した選択という評価だ。

ただしHBMは高価格にもかかわらず、構造的な収益性の制約を抱えるとの指摘が続く。ベースダイにファウンドリー(半導体受託生産)工程が適用され、高難度の積層・パッケージングを経ることで原価負担と歩留まりリスクが大きいためだ。これに対し汎用DRAMは工程の安定性が高く、価格上昇分がダイレクトに利益へ反映される構造だというのが証券街の共通した説明である。

サムスン電子はHBM4(第6世代HBM)への投資とともに、GDDR7・LPDDR5Xなど汎用・モバイルDRAMへ生産能力を柔軟に配分する「ミックス戦略」を併用している。市場では「HBMは戦略的な意味が大きい製品だが、メモリー企業の中短期の業績は結局、汎用DRAMとHBMの間の製品ミックスによって決まる」との評価が出ている。

半導体業界関係者は「HBMはAI時代に技術リーダーシップを確保するうえで不可欠な製品だが、短期・中期の業績は依然として汎用DRAMおよびNAND価格の影響を大きく受ける」と述べ、「SKハイニックスのHBM中心戦略も、どれだけ実際の利益につながるのかが今後の評価の核心になる」と語った。

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