知能型電力・センシング技術企業であるオンセミがイノサイエンスと業務協約（MOU）を締結し、低電圧・中電圧（40〜200V）窒化ガリウム（GaN）電力デバイス市場の攻略に乗り出すと4日に明らかにした。
両社は今回のMOU締結を基盤に、高効率・高性能のGaN製品の供給を拡大する方針だ。オンセミの統合システム・パッケージングのノウハウとイノサイエンスのGaN技術および量産能力を結合し、シナジーを創出する趣旨である。これを基に、GaN製品を自動車・通信インフラ・コンシューマー・AIデータセンター市場などに供給して事業を拡大するというのが今回のMOUの主たる骨子だ。
GaN半導体デバイスは▲高速スイッチング▲小型フォームファクター▲低エネルギー損失などの特性を備える。小さな空間に多くの電力を供給できることが最大の利点とされる。しかし製造技術の裏付けが不足し、低電圧・中電圧分野では導入が制限されてきた。オンセミ側は「イノサイエンスと協力して既存の市場課題を解決し、GaNソリューションを大量に、かつ迅速に世界中に供給する」と述べた。
GaNは2030年までにグローバル電力半導体市場で約11%を占め、29億ドル規模へ成長すると見込まれる。年平均成長率（CAGR）は2024年から2030年まで42%を記録すると予測された。
アンツワン・ジャラベール・オンセミ企業戦略副社長は「今回の協力を通じて業界最大規模のGaN生産基盤を確保し、世界の顧客向けにGaN製品ポートフォリオを迅速に拡張する」と語った。
イ・スン・イノサイエンス製品・エンジニアリング部門上級副社長は「世界的にGaN電力ソリューションの採用を拡大・加速し、オンセミの広範なポートフォリオを活用したシステム統合プラットフォームを構築する」と述べた。