サムスン電子GDDR7 DRAM製品画像。/サムスン電子ホームページのキャプチャー

サムスン電子がメモリー半導体製品であるGDDR7 DRAMで大韓民国技術大賞の大統領賞を受賞する。

サムスン電子は3日、ソウル江南区のCOEXで開かれる「2025コリアテックフェスティバル」開幕式で、世界初の12ナノメートル(nm・1nm=10億分の1メートル)級「40Gbps 24Gb GDDR7 DRAM」により大統領表彰を受けると明らかにした。これは単一企業として歴代最多(11回)の大統領賞受賞記録である。

サムスン電子のGDDR7は、グラフィックスおよび人工知能(AI)演算に最適化された次世代DRAMとの評価を受けている。GDDR7は特に高帯域幅メモリー(HBM)と比べ、コスト効率と電力効率、軽量性で強みを示す。

GDDR7には電力二元化設計技術や漏れ電流を最小化するパワーゲーティング設計手法など、高性能・低電力の回路設計技術が適用された。電力効率は30%改善した。最上位のグラフィックカード・ゲーム機・ノートパソコンはもちろん、次世代サーバー・データセンターにも搭載される。とりわけAI推論領域で高い使用性が期待される製品である。

サムスン電子は今回の受賞を機に、次世代メモリー技術の主導権を固め、技術中心の経営を加速する方針だ。先立ってサムスン電子は年末人事を通じてメモリー開発担当組織を新設するなど、将来技術の先取りを急いでいる。

キム・ドンウォンKB証券研究員は「最近エヌビディアがサムスン電子にGDDR7の供給拡大を大幅に要請し、ピョンテクラインの生産能力が2倍以上に拡大されるだろう」と述べ、サムスン電子がエヌビディアに対するGDDR7の独占的供給地位を当面維持すると見通した。

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