米マイクロンの第5世代高帯域幅メモリー(HBM3E)の画像。/マイクロン提供

マイクロンが日本本州西部の広島県の工場に高帯域幅メモリー(HBM)の生産ラインを建設する計画だと伝わっている。

30日、日本経済新聞(日経)は、マイクロンが来年5月に新棟を着工し、2028年に次世代HBMの出荷を開始する計画だと報じた。投資額は約1兆5000億円(約14兆ウォン)で、日本政府が最大5000億円(約4兆7000億ウォン)を支援する。

マイクロンはこれまで台湾で先端HBM製品を生産してきた。しかし米中対立や台湾有事など、台湾を巡る地政学的懸念が高まるなか、日本への投資を拡大しようとしているとの分析が出ている。

日経は「広島工場に2019年以降初めて導入される新たな製造用施設は、世界有数の次世代HBMの生産拠点になると見込まれる」とし、「技術で先行するSKハイニックスを追う」と述べた。

日本政府は2030年度(2030年4月〜2031年3月)までに半導体とAI分野に10兆円(約94兆ウォン)以上を支援し、最先端の半導体サプライチェーンを構築する構想を描いている。

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