10月22日、ソウル江南区のCOEXで開かれた「半導体大展(SEDEX) 2025」に設けられたサムスン電子のブースに、第6世代の高帯域幅メモリーHBM4とHBM3Eの実機が展示された。/聯合ニュース

サムスン電子が前年に新設した高帯域幅メモリー(HBM)開発チームをDRAM開発室傘下へ移す組織改編を断行した。これまで低調だったHBM事業が安定化したことに伴い、HBM開発チームの再編に乗り出したと分析される。

27日、業界によると、サムスン電子はこの日、幹部を対象に説明会を開き、組織改編の方向を説明した。半導体事業を担当するDS部門では、HBM開発チームの人員をDRAM開発室傘下の設計チーム組織へ移した。従来HBM開発チームを率いていたソン・ヨンス副社長が設計チーム長に選任された。

サムスン電子はHBM事業の競争力回復のため、前年7月の組織改編でHBM開発チームを新設した。同年5月にチョン・ヨンヒョン副会長がDS部門長に選任された後、約1カ月で断行した。当時サムスン電子はHBM市場でSKハイニックスに主導権を奪われ、面目を失った。これにHBM専担組織を設け、開発人員を集中的に投入して技術競争力を強化した。

サムスン電子は第6世代HBM(HBM4)など次世代HBM製品で相当部分の技術力を確保したと判断し、今回の組織改編を通じて1年余りでHBM関連人員を設計チーム所属に配置した。サムスン電子は最近、エヌビディア、AMD、オープンAI、ブロードコムなどグローバルビッグテックとのHBMサプライチェーンへの参入に成功し、HBM事業が本軌道に乗ったとの評価を受けている。

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