世界2位の半導体製造装置企業である米アプライドマテリアルズ（AMAT）は26日、次世代人工知能（AI）向け先端ロジックおよびメモリーチップ製造のための新規装置3種を公開した。
パクグァンソンAMATコリア代表はこの日、ソウル三成洞で開かれた記者懇談会で「AIの拡大によりロジック・メモリー・パッケージングの全領域で要求スペックが速いペースで高まっている」とし、「AMATは過去4〜5年間、顧客のロードマップに合わせて必要な装置を先手で開発してきた」と語った。
パク代表は「国内顧客との共同研究を強化するため、韓国R&Dセンターの設立を推進中であり、オサン市と投資協議を進めている」とし、「2026年に開設する米シリコンバレーの『エピックセンター』と連携し、グローバル開発拠点の役割を担うことになる」と明らかにした。
この日初公開された『キネックス』システムは、ダイ・トゥ・ウェハ（Die-to-Wafer）方式のハイブリッドボンディング工程を統合した装置である.
ホヨンAMATハイブリッドボンディング技術ディレクターは「インターコネクト密度は従来のマイクロバンプ比で10倍以上高めることができる」とし、「高性能AIチップであるほど電力効率と信号遅延がボトルネックになるが、ハイブリッドボンディングはこれを構造的に解決する方式だ」と説明した。さらに「過去に数時間かかっていた工程転換（Q-time）を約1時間水準に短縮でき、顧客企業の開発速度も大きく向上する」とし、「高帯域幅メモリー（HBM）は今後1〜2世代後からハイブリッドボンディングの適用が本格化する」と展望した。
GAAの2ナノ以下工程向けとして紹介された『セントゥラ・エクステラ』は、ソース・ドレインエピタキシー（epi）工程で発生するボイド（void）問題を解決するための装置である。イドゥソンAMATエピタキシー技術マネジャーは「GAAは深いトレンチ内部を均一に埋めることが最大の難関だ」とし、「Xteraはチャンバー体積を80%削減し、プリクリーン・エッチング・堆積を精密に組み合わせてボイドを根本的に抑制する」と述べた。あわせて「ガス使用量を従来比で50%低減しつつ、均一度を40%高めたことが特徴だ」と付け加えた。
3Dパッケージングおよびバックサイド給電工程で求められる計測需要に対応したプロビジョン10もこの日に併せて公開された。
チャンマンスAMATイメージングおよびプロセス制御ディレクターは「冷電子放出（CFE）ベースの電子ビーム計測を適用し、解像度を従来より最大50%高め、速度は10倍速く改善した」とし、「ウェハを損傷させない状態で100nm以上の深い構造まで貫通測定でき、GAA・EUV・HBM工程で発生する内部欠陥を早期に把握できる」と述べた。続けて「チップが3Dで複雑になるほど計測がボトルネックになる状況が繰り返されている」とし、「画像解析を含むデータ主導の診断ソリューションまで統合提供する」とした。
プラブ・ラジャAMAT半導体製品グループ社長は「AIの拡大により複雑なパッケージングと3Dアーキテクチャの需要が速いペースで増えている」とし、「顧客企業と協力してロジック・メモリー先端パッケージング分野の技術ロードマップを共同開発している」と明らかにした。