ラピダスが18日に公開した2ナノ・ゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタのシリコンウエハー試作品。/ラピダス

日本の半導体企業ラピダスが、2ナノメートル(nm・1nm=10億分の1メートル)半導体製品の2027年量産を目標に作業を進めていることが25日に伝わった。ラピダスは日本政府主導で2022年に設立された企業である。日本政府はこの企業を通じて「半導体産業の復活」を目指している。

日本経済新聞は同日、ラピダスが2027年度に北海道チトセで第2工場を着工する計画だと25日に報じた。第1工場で2ナノの量産技術が成熟する前に第2工場を建設しようとするものだ。ラピダスは7月に2ナノ製造に成功したとして試作品を公開した経緯がある。第2工場の設立は、2029年から1.4ナノ半導体など先端製品の生産を目標に進められる事業だという。

ラピダスは1.4ナノ製品の研究開発を来年から本格化する計画だ。同社は米国IBMから技術供与を受けている。サムスン電子は2027年、台湾のファウンドリー(半導体受託生産)企業TSMCは2028年に1.4ナノ工程による製品量産に入るという目標だ.

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