人工知能（AI）産業の成長に伴い、Dラムを中心にメモリー半導体の供給不足が生じている中、NANDフラッシュに対する需要も大幅に増加し、数量確保の競争が激化していると伝えられている。高帯域幅メモリー（HBM）と汎用Dラムにメモリー半導体企業の生産能力が集中し、NANDの供給が制限されるとの見方が出ると、NAND価格も急速に上昇する傾向だ。NANDも来年の数量が完売となり、一部ビッグテック顧客社は2027年の供給数量を事前協議しているとされる。
19日、業界によると、サムスン電子とSKハイニックス、キオクシアなどメモリー半導体企業は一部ビッグテック企業と2027年の供給数量を協議中であることが把握された。NAND供給の制限で来年の数量が事実上完売となり、価格の上昇基調が続く中、異例にも2年後のNAND供給数量の交渉を先行して進めているということだ。半導体業界関係者は「AIデータセンターに搭載されるeSSDを中心にNAND需要が増加しているが、生産能力が制限されているのは事実だ」とし、「データセンターを増設している一部ビッグテック企業が数量確定のため、すでに供給交渉に入った」と語った。
AI市場の成長によりNAND需要もこれに連動して増加している。キム・ロクホ・ハナ証券研究員は「来年のNAND需要は前年比18%増加すると見込まれるが、需要が供給を5%上回る」と分析した。世界3位のNAND企業であるキオクシアは決算発表を通じ、今年から2029年までNAND市場が年平均20%の成長率を記録し、AI分野を中心に需要が増加していると説明した。そのうえで、2029年までにNAND需要の約半分をAI関連製品が占めると見通した。
需要増加にもかかわらず、ほとんどのNANDメーカーは攻勢投資よりも保守と先端工程への転換に集中しており、価格の上昇が急速に表れている。NAND市場の世界1、2位であるサムスン電子とSKハイニックスが新規増設する生産ラインはHBMと汎用Dラムなどに集中し、NANDは追加増設よりも先端工程への転換投資が主に進み、供給が需要に追いついていない。メモリーカード・USB向けNANDフラッシュ汎用品（128Gb 16Gx8 MLC）の先月の平均固定取引価格は前月比14.9%上昇の4.35ドルを記録した。年内の最高値で、今年1月以降10カ月連続の上昇となっている。
こうした理由でNAND数量を確保するための競争が一段と激しくなっていると伝えられる。半導体業界関係者は「一部サプライヤーは来年の契約を完了し、四半期から2〜3四半期単位へと価格および数量の契約単位を変更している。2027年の供給数量交渉を開始したところも多数だ」とし、「堅調な需要に比べNAND企業の増設方針は保守的であり、このため需要が供給に追いつかない状況が続き、価格上昇基調も継続するだろう」と説明した。
DラムだけでなくNAND事業でも収益性が大きく改善すると見込まれ、サムスン電子とSKハイニックスの業績も上方修正されている。金融情報企業FnGuideによると、サムスン電子の来年通年の営業利益見通しは1カ月前の59兆6927億ウォンから76兆5275億ウォンへと約28%増えた。同期間、SKハイニックスの営業利益見通しも55兆499億ウォンから70兆5481億ウォンへと約28%上方修正された。