サムスン電子が半導体設備の過剰投資懸念でしばらく遅れていたピョンテク新工場（P5）の建設を再開したなか、SKハイニックスも当初12兆ウォン規模と発表していたヨンイン半導体クラスターの想定投資費用を約60兆ウォンまで引き上げ、設備投資競争に火が付き始めた。
人工知能（AI）のバブル論や数年前のDRAM供給過剰で大規模赤字を記録した両社が設備投資規模を拡大するのは、メモリー・スーパーサイクル（超好況）に対する見通しが確実になったことの裏付けでもある。さらに今回のメモリー好況期が来年だけでなく2028年以降も有効だという観測がある。
18日、業界によるとサムスン電子は最近、60兆ウォン以上が投じられるキョンギ・ピョンテク事業場2団地5ライン（P5）プロジェクトの建設を再開した。P5は次世代高帯域幅メモリー（HBM）と汎用DRAMを並行生産するハイブリッド型工場になる見通しだ。稼働目標時点は2028年で、市況に応じてファウンドリー（半導体受託生産）ラインを構築する予定であり、状況によっては稼働が前倒しになる可能性もある。
中長期的にサムスン電子はピョンテク事業場1団地（P1〜4）と2団地（P5〜6）を合わせて87万坪規模の半導体生産拠点を準備してきた。P5とP6が予定どおり構築されれば、ピョンテクはサムスン電子のグローバル最大の半導体生産拠点となる。P4は全4つの生産ラインのうち3カ所が稼働中または生産を控えており、10ナノ級6世代（1c）DRAMとHBM4（6世代HBM）の量産を担う予定だ。
これに加えサムスン電子はヨンイン半導体国家産業団地クラスターにも360兆ウォンを投じ、2031年までに計6つのファブを完成させる計画だ。まず来年末までに第1期ファブを着工し、2030年に稼働させることを目標とする。ピョンテク事業場のライン拡張とヨンイン半導体国家産団クラスター工事がすべて完了すれば、合計12のファブが稼働することになる。
設備投資に慎重な姿勢を示してきたSKハイニックスも、すでに飽和状態に達したイチョン、チョンジュ工場の限定的な生産設備をヨンイン半導体クラスターへ素早く拡大している。とりわけ対中制裁でリスクを抱える中国・無錫工場への依存度を下げ、国内の生産能力を強化することが課題だ。
SKハイニックスは最近、ヨンイン半導体クラスターのクリーンルーム面積を当初計画比で50%拡大したことが分かった。最近、ヨンイン特例市はヨンイン半導体クラスター一般産業団地に対する第9次変更産業団地計画を最終承認・告示し、SKハイニックス用地（A15）の容積率を従来の350%から490%へ引き上げた。建築物の最高高さも120mから150mまで緩和した。これによりヨンイン半導体クラスターに入るファブ（生産ライン）のクリーンルーム面積も拡大した。当初より1.5倍広いクリーンルームを造成できるようになり、投資費用が拡大したと伝えられている。
ヨンイン半導体クラスターには計4基のファブが建設される予定だ。各ファブは最近竣工したSKハイニックス清州M15Xファブ6棟と同程度の規模だ。昨年SKハイニックスは清州M15Xファブの建設に20兆ウォン以上が投じられると発表した。単純計算すると、ヨンイン半導体クラスターのファブ1基に120兆ウォン以上の投資が必要となる。ファブ4基がすべて完成すれば、最低でも480兆ウォンが投じられる見通しだ。ヨンイン半導体クラスターが2050年まで計画された長期プロジェクトである点を考慮すれば、物価上昇や開発費上昇などを勘案した妥当な推定だという分析である。
チェ・ミンスク韓国投資証券研究員は「（メモリー半導体は）2026年を通じて供給不足となり、平均販売単価（ASP）が継続的に上昇する一方で、HBMの販売拡大で収益性が大幅に増加する」と述べ、「AIで引き起こされたメモリーのアップサイクル・ラリーは今始まった」と分析した。