メモリー半導体業界の第6世代高帯域幅メモリー（HBM4）競争が本格化するなか、次世代HBMに対する需要が可視化され、サムスン電子とSKハイニックスなどが開発を加速している。次世代HBMである第7世代HBM（HBM4E）からは、定められた規格に合わせて製品を開発し量産する「汎用」製品から、顧客企業が望む方式で中核部品を設計して供給する「カスタム」まで市場が拡大すると見込まれる。
13日、業界によると、サムスン電子とSKハイニックスは早ければ来年上半期にHBM4Eの開発完了を目標に掲げたという。HBM4Eはエヌビディアのルビンプラットフォームの最上位版であるR300など、グローバルビッグテックの人工知能（AI）アクセラレーター新製品に搭載されるとされる。HBM4Eが搭載されるAIアクセラレーターは2027年の発売を控えており、来年下半期に品質検証を終える必要があるため、開発を加速しているとみられる。
HBM4Eが2年後にHBM市場の主流製品として浮上すると予想されるなか、サムスン電子とSKハイニックスは市場先取りに乗り出した。ソン・インジュン興国証券研究員は「HBM市場の前年比需要増加率は来年77%、2027年には68%水準と試算される」とし、「2027年にはHBM総需要量の40%をHBM4Eが占めるだろう」と述べた。
HBM4市場までは、これまで独走体制を固めてきたSKハイニックスが先手を打った。SKハイニックスは業界の大口であるエヌビディアと、HBM4の来年の供給数量に関する交渉をメモリー半導体企業の中で最も早く終えた。エヌビディアのルビンプラットフォームに搭載されるHBM4初期ロットの相当数をSKハイニックスが供給する見通しだという。エヌビディアはサムスン電子がHBM4サプライチェーンに参入したと言及したが、供給交渉はまだ進行中と伝えられている。
ただし、HBM4Eからカスタム型HBM市場が本格開花すると見込まれ、市場地形が入れ替わる可能性があるとの分析も出ている。サムスン電子とSKハイニックスはいずれも、HBM4Eの頭脳の役割を担う「ロジックダイ（ベースダイ）」を顧客企業の要望どおりに設計して製造するカスタムHBM市場を準備している。この市場に適時対応するには、顧客の望む形で製品を作る設計能力と、ファウンドリー（半導体受託生産）工程の力量を保有することが重要だ。こうした能力をすべて内製化したサムスン電子は、HBM4からロジックダイに自社ファウンドリー工程を適用し経験を積んでいる。
半導体業界関係者は「HBM4E市場までは、エヌビディアと協力関係が堅固なSKハイニックスの先頭地位が維持されるとの見方が優勢なのは事実だ」としつつも、「ただし、HBM4Eは自社製AIアクセラレーターを開発中のグローバルビッグテック企業のカスタム製品に対する需要が多様化しており、迅速な対応が可能なファウンドリー工程の力量と生産能力を保有するサムスン電子が有利な点もあるため、市場再編の可能性がある」と述べた。
マイクロンもHBM4E市場を念頭にTSMCと協力していると明らかにしたことがある。SKハイニックスがHBM4からTSMCのファウンドリー工程をロジックダイ製造に適用したのとは異なり、マイクロンは自社の先端DRAM工程を適用した。ただし、顧客需要と製品性能向上のためにファウンドリー先端工程の必要性が高まり、TSMCとの協業を進めたと分析される。