サムスン電子とSKハイニックスが総額3550兆ウォンの中長期投資計画を打ち出すなか、市場では投資規模よりも増設のスピードが速まった点に注目すべきだとの分析が出ている。従来計画より装置投入のスケジュールを約50%前倒ししたのは、メモリー供給不足が想定以上に深刻であることを反映したもので、少なくとも2027年まで供給不足が続く可能性が高いとの見方だ。
サムスン証券リサーチセンターのチーム長であるイ・ジョンウクは30日のリポートで「最も重要な変化は投資のスピードだ」と述べ、「現在の投資強度は従来の長期計画より約50%速まったが、AI需要を満たすには依然として不十分だ。これはメモリーショーティジ（供給不足）の強度を示すシグナルだ」と分析した。続けて「少なくとも新規ファブの意味ある増設が現れる2027年までは供給不足の解消は難しい」と付け加えた。
サムスン証券は、このような投資スピードの変化の背景として、メモリー供給不足が長期化し得るとの危機感が反映されたと分析した。AIの普及でHBM（高帯域幅メモリー）をはじめとするメモリー需要が急増するなか、供給不足が長期化すれば需要企業が高価格のメモリーを代替する技術開発に乗り出し、メモリーの潜在市場（TAM）が縮小し得るとの説明だ。メモリー不足によりAIサービスの普及自体が遅延する可能性も提起した。
同チーム長は「今後5年間で少なくとも2倍、10年間で3倍水準のクリーンルーム拡張を計画しているが、AIクラウド顧客が求めるメモリー需要を十分に満たすには依然として不足している」とし、「韓国内だけでなく海外でも追加的な生産能力拡大が続く可能性が高い」と展望した。
サムスン電子とSKハイニックスは前日に開かれた「3大メガプロジェクト国民報告会」で、それぞれ2450兆ウォン、1100兆ウォン規模の中長期投資計画を発表した。サムスン電子は半導体分野に約2100兆ウォンを投じ、平沢（ピョンテク）と龍仁（ヨンイン）クラスターを中心に生産能力を拡大し、光州にも新規ファブ（Fab）を建設する計画だ。SKハイニックスは龍仁と清州（チョンジュ）、西南圏を中心に生産施設を拡充する。
サムスン電子は龍仁クラスター6つのファブのクリーンルームをすべて満たす期間を従来の18年から12年に短縮し、SKハイニックスも龍仁クラスターの4ファブで装置投入完了の時点を12年から8年へと前倒しした。両社とも従来計画よりはるかに速いペースで生産能力を拡大するということだ。
ただし今回の西南圏半導体クラスター発表自体が株価に与える影響は限定的とみる。過去の平沢・龍仁など大規模半導体クラスター発表も株価に一貫した影響を与えなかったうえ、実際の装置投資の時点を推し量れるファブ完成時期のほうが株価により大きな影響を与えるとの説明だ。
半導体素材・部品・装備（ソブジャン）業種のなかでは装置メーカーに注目した。先行的な生産能力確保のための投資では素材・部品より装置投資が先行するためだ。とりわけSTI、Hanyang ENGなどのインフラ企業と、TES、WONIK IPS、Eugene Technologyなどの前工程装置メーカーを主要な恩恵銘柄として示した。