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홍성주 SK하이닉스 부사장 "반도체 미세공정 한계...극자외선 노광장비 개발 도입 서둘러야"

  • 황민규 기자
  • 김민지 인턴기자

  • 입력 : 2017.02.08 13:57

    "극자외선(EUV) 노광장비가 조속히 개발되어야 합니다. 빨리 개발되지 않는다면 지금보다 훨씬 복잡한 멀티패터닝 공정을 해야 합니다. 그렇지 않을 경우 기술적 난점을 해결하기 어려워지고 (메모리 반도체 기업들은) 경제적 어려움에도 봉착하게 될 것입니다"

    홍성주 SK하이닉스 미래기술원장(부사장)은 8일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘세미콘(Semicon) 코리아 2017’ 기조연설에서 이같이 밝혔다. 홍 부사장은 메모리 반도체 미세공정이 10나노급에서 사실상 한계치에 도달했다는 평가를 내리며 EUV 개발을 유일한 대안으로 언급했다.

    홍성주 SK하이닉스 미래기술원장(부사장)이 8일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 세미콘 코리아 2017 행사에서 기조연설을 하고 있다./ 김민지 인턴기자
    홍성주 SK하이닉스 미래기술원장(부사장)이 8일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 세미콘 코리아 2017 행사에서 기조연설을 하고 있다./ 김민지 인턴기자
    EUV 노광장비는 네덜란드의 반도체 장비업체인 ASML이 주도적으로 개발하고 있는 차세대 반도체 패터닝 장비다. 5나노미터의 미세한 극자외선 파장을 반도체 생산의 핵심 공정인 노광(웨이퍼에 패턴 새김)에 활용한다. 현재 10나노 이하의 초미세공정을 구현할 수 있는 유일한 장비로 각광받고 있지만 아직 생산라인에 도입하기에는 완성도가 부족하며 가격 또한 한 대당 수천억원을 호가할 정도로 고가인 것으로 알려졌다.

    홍 부사장은 “많은 전문가들이 EUV 장비 상용화가 불가능할 것이라고 우려했지만 지난해 굉장히 많은 발전이 있었고 반도체 기업들도 이제 EUV를 양산에 활용하겠다는 결정을 내리고 있다”고 말했다. 실제로 인텔, 삼성전자 등이 지난해 잇달아 EUV 장비 도입을 본격화하면서 7나노 공정부터 양산 라인에 도입될 것이라는 전망도 나온다.

    홍 부사장은 SK하이닉스의 주력 매출군인 D램과 낸드플래시의 미래 과제도 언급했다. 그는 “D램의 경우 (추가적인 미세화를 위해) 하이케이(HK) 재료를 활용한 커패시터 개발이 필요하고 낸드플래시 역시 3차원 구조로 바뀌면서 계속 층을 높여가야 하는데 (층을 높일수록) 층간 구멍을 빠르게 뚫어 연결하는 기술이 필요하다”고 말했다.

    홍 부사장은 이어 “지금까지 EUV 장비 개발이 줄곧 미뤄져 온 것을 보면 굉장히 구현하기 어려운 기술이라는 것을 알 수 있다”면서도 “하지만 ASML의 최고기술책임자(CTO)인 마틴 반 덴 브링크 사장처럼 불굴의 의지를 가진 사람과 EUV 개발 과정을 보면서 가능하지 않을까 하는 생각을 하고 있다”고 말했다.

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